K9LCG08U1M vs K9F2808Q0B Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K9LCG08U1M от Samsung Electronics и K9F2808Q0B от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung
K9F2808Q0B ✗ Снят с производстваСравнение характеристик
| Параметр | K9LCG08U1M | K9F2808Q0B |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Flash | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Снято с производства |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $11,85 | $0,00 |
| Тип памяти | NAND Flash, MLC | SLC NAND Flash (parallel) |
| Density | 64 Gbit (8 GB) | 128 Mbit |
| Организация памяти | x8 I/O | 16M x 8 |
| Интерфейс | Asynchronous multiplexed NAND I/O | 8-bit multiplexed address/data |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | SLC (1 bit/cell) |
| Корпус | BGA | 63-pin TBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Напряжение питания | [DATA_NEEDED: supply voltage] | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Статус RoHS | unknown | unknown |
| Ordering Codes | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB | — |
| Operating Voltage (VCC) | — | 1.7 V to 1.95 V |
| Read Access Speed | — | 50 ns |
| Temperature Grade | — | C (commercial), I (industrial) |
| Typical Read Current (Icc1) | — | [DATA_NEEDED: Icc1] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Production Status | — | Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete |