K9LUGY8J7D-BCK0 vs K9JUGY8J5C-CCK0 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K9LUGY8J7D-BCK0 от Samsung Electronics и K9JUGY8J5C-CCK0 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K9LUGY8J7D-BCK0 K9LUGY8J7D-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9LUGY8J7D-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9LUGY8J7D-BCK0 ✓ Активен
Samsung Electronics
K9JUGY8J5C-CCK0 K9JUGY8J5C-CCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-CCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-CCK0 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K9LUGY8J7D-BCK0 K9JUGY8J5C-CCK0
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $7,60
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Product Type 3D V-NAND Flash Memory —
Memory Technology V-NAND (3D NAND flash) —
Density [DATA_NEEDED: density] 1 Tb (128 GB)
Cell Type [DATA_NEEDED: cell type (MLC/TLC/QLC)] TLC (Triple-Level Cell)
Организация памяти [DATA_NEEDED: organization] [DATA_NEEDED: page/block organization]
Интерфейс [DATA_NEEDED: interface type] [DATA_NEEDED: toggle/ONFI mode]
Напряжение питания [DATA_NEEDED: VCC range] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] —
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Program Time (typ) [DATA_NEEDED: tPROG] —
Erase Time (typ) [DATA_NEEDED: tBERS] —
Read Time (typ) [DATA_NEEDED: tR] —
Endurance [DATA_NEEDED: P/E cycles] —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range]
Корпус [DATA_NEEDED: package type and dimensions] [DATA_NEEDED: BGA package code and dimensions]
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Тип памяти — NAND Flash - V-NAND (TLC)
Technology Generation — V6 (6th-gen V-NAND, 128-layer)
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Supply Voltage (VCCQ) — [DATA_NEEDED: VCCQ range]
Read Latency — [DATA_NEEDED: tR]
Program Time — [DATA_NEEDED: tPROG]
Endurance (P/E cycles) — [DATA_NEEDED: rated P/E cycles]
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену