M29F160FT55N3F2 vs M29F200FT55M3F2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F160FT55N3F2 от Micron Technology и M29F200FT55M3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29F160FT55N3F2 M29F200FT55M3F2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Flash Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $4,90 $1,85
Тип памяти NOR Flash (Parallel, Asynchronous) Parallel NOR Flash
Density 16 Mbit (16777 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Организация памяти 1M x 16 / 2M x 8 256K x 8 / 128K x 16
Number of Words 1000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) 5 V
Интерфейс Parallel —
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Корпус 48-Pin TSOP 44-pin SO (TSOP)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (T/R)
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Programming Interface — Embedded program/erase controller, byte or word
Automotive Qualification — Yes
Number of Words (x16 mode) — 128 K
Bits per Word (x16 mode) — 16 bits
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену