M29F160FT55N3F2 vs M29F200FT55M3F2 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29F160FT55N3F2 제조: Micron Technology 및 M29F200FT55M3F2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ 활성
Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29F160FT55N3F2 M29F200FT55M3F2
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Flash Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $4.90 $1.85
메모리 유형 NOR Flash (Parallel, Asynchronous) Parallel NOR Flash
Density 16 Mbit (16777 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
메모리 구성 1M x 16 / 2M x 8 256K x 8 / 128K x 16
Number of Words 1000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) 5 V
인터페이스 Parallel —
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
동작 온도 -40C to +125C -40C to +125C
패키지 48-Pin TSOP 44-pin SO (TSOP)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (T/R)
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Programming Interface — Embedded program/erase controller, byte or word
Automotive Qualification — Yes
Number of Words (x16 mode) — 128 K
Bits per Word (x16 mode) — 16 bits
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청