M29F400FT55M3E2 vs M29F800FT55N3E2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F400FT55M3E2 от Micron Technology и M29F800FT55N3E2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F400FT55M3E2 M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29F400FT55M3E2 M29F800FT55N3E2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,98 $4,98
Тип памяти NOR Flash NOR Flash
Размер памяти 4 Mbit (4194 kbits) —
Организация памяти 512K x 8 / 256K x 16 —
Интерфейс Parallel Parallel
Access Time 55 ns 55 ns
Напряжение питания 5 V 5 V
Number of Words 256 k —
Bits per Word 16 bits —
Programming Embedded byte/word program algorithms —
Erase Embedded program/erase controller, block erase —
Boot Block Top boot block —
Рабочая температура -40 C to +125 C -40C to +125C
Корпус 44-SO (SOP-44) 48-TSOP I
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Статус RoHS Compliant Compliant (E suffix = lead-free/RoHS)
Memory Organization — 512K x 16 (8 Mbit)
Density — 8389 kbits
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Word/Byte Configuration — BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit)
Hardware Reset / Power-Down — RP# pin
Embedded Program/Erase Controller — Yes (byte/word program, block erase)
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per block (typical for family)
Data Retention — >20 years (typical for family)
Ready/Busy Output — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену