M29W128GL70ZS3E vs M29W128GH70ZS3E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W128GL70ZS3E от Micron Technology и M29W128GH70ZS3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W128GL70ZS3E M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E ✓ Активен
Micron Technology
M29W128GH70ZS3E M29W128GH70ZS3E - 128Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W128GH70ZS3E - 128Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W128GH70ZS3E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W128GL70ZS3E M29W128GH70ZS3E
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,39 $5,78
Тип памяти NOR Flash Parallel NOR Flash (SLC)
Интерфейс Parallel Parallel, Asynchronous
Размер памяти 128 Mbit (16 MB) —
Access Time 70 ns 70 ns
Напряжение питания 2.7 V to 3.6 V (3 V class) 2.7 V to 3.6 V
Корпус 64-FBGA (11x13 mm) 64-FBGA (11 x 13 mm), LBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура -40C to +125C (per distributor code data) -40C to +125C
Family M29W128G (GL variant) —
Bus Width x16 —
Boot Block Architecture Bottom boot (GL) —
Program/Erase Supply Single supply (no separate VPP required) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Density — 128 Mbit (16 MB)
Организация памяти — 8M x16 (x8/x16 capable family)
Boot Block — Top Boot Block
Technology — NOR Flash, SLC
Common Flash Interface — Yes
Block Protection — Hardware/Software block protection
Automotive Temperature Grade — Yes (-40C to +125C)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену