M29W128GL70ZS3E vs M29W128GH70ZS3E 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29W128GL70ZS3E 제조: Micron Technology 및 M29W128GH70ZS3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29W128GL70ZS3E M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E ✓ 활성
Micron Technology
M29W128GH70ZS3E M29W128GH70ZS3E - 128Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W128GH70ZS3E - 128Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W128GH70ZS3E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29W128GL70ZS3E M29W128GH70ZS3E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.39 $5.78
메모리 유형 NOR Flash Parallel NOR Flash (SLC)
인터페이스 Parallel Parallel, Asynchronous
메모리 크기 128 Mbit (16 MB) —
Access Time 70 ns 70 ns
공급 전압 2.7 V to 3.6 V (3 V class) 2.7 V to 3.6 V
패키지 64-FBGA (11x13 mm) 64-FBGA (11 x 13 mm), LBGA
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -40C to +125C (per distributor code data) -40C to +125C
Family M29W128G (GL variant) —
Bus Width x16 —
Boot Block Architecture Bottom boot (GL) —
Program/Erase Supply Single supply (no separate VPP required) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Density — 128 Mbit (16 MB)
메모리 구성 — 8M x16 (x8/x16 capable family)
Boot Block — Top Boot Block
Technology — NOR Flash, SLC
Common Flash Interface — Yes
Block Protection — Hardware/Software block protection
Automotive Temperature Grade — Yes (-40C to +125C)

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