M29W320DB70N3E vs M29DW323DB70N3E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29W320DB70N3E от Micron Technology и M29DW323DB70N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | M29W320DB70N3E | M29DW323DB70N3E |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Flash | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,95 | $2,55 |
| Тип памяти | NOR Flash | Flash - NOR |
| Density | 32 Mbit (33554 kbits) | 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) |
| Организация памяти | 2M x 16 | — |
| Number of Words | 2000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | — |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Block Architecture | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) | — |
| Рабочая температура | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Корпус | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | ROHS3 Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Programming Mode | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling | — |
| Power-Up Mode | Read mode (default) | — |
| Memory Format | — | FLASH |
| Technology | — | FLASH - NOR Memory IC |
| Memory Organization | — | 4M x 8 / 2M x 16 |
| Напряжение питания | — | 3 V class (per manufacturer datasheet) |
| Boot Block Location | — | Bottom (DB variant) |
| Byte/Word Organization Select | — | Yes (BYTE pin) |
| Applications Domain | — | Embedded code storage / XIP |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard pack quantity] |