M29W320DB70N3E vs M29DW323DB70N3E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29W320DB70N3E von Micron Technology und M29DW323DB70N3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29W320DB70N3E | M29DW323DB70N3E |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Flash | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,95 | $2,55 |
| Speichertyp | NOR Flash | Flash - NOR |
| Density | 32 Mbit (33554 kbits) | 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) |
| Speicherorganisation | 2M x 16 | — |
| Number of Words | 2000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Block Architecture | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Gehäuse | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS-Status | ROHS3 Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Programming Mode | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling | — |
| Power-Up Mode | Read mode (default) | — |
| Memory Format | — | FLASH |
| Technology | — | FLASH - NOR Memory IC |
| Memory Organization | — | 4M x 8 / 2M x 16 |
| Versorgungsspannung | — | 3 V class (per manufacturer datasheet) |
| Boot Block Location | — | Bottom (DB variant) |
| Byte/Word Organization Select | — | Yes (BYTE pin) |
| Applications Domain | — | Embedded code storage / XIP |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard pack quantity] |