MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs MT29F2G08ABAEAWP-IT:E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT29F1G08ABAEAWP-IT:E от Micron Technology и MT29F2G08ABAEAWP-IT:E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ Активен
Micron Technology
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - 2Gb SLC NAND Flash, 48-TSOP | Micron

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - 2Gb SLC NAND Flash, 48-TSOP | Micron

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,60 $2,65
Размер памяти 1 Gbit (128 MB) 2 Gbit (256 M x 8)
Организация памяти 128M x 8 2048 blocks x 64 pages x 2112 bytes (x8)
Интерфейс Parallel Asynchronous Parallel (x8 / x16 selectable)
Напряжение питания 3.3 V —
Access Time 25 ns —
Page Size 2048 bytes + 64 bytes spare —
Block Size 128 KB 64 pages (128 KB + 4 KB spare)
Program Time 200 us (typical) —
Erase Time 2 ms (typical) —
Endurance 100K program/erase cycles —
Data Retention 10 years —
Рабочая температура -40C to +85C -40C to +85C (Industrial)
Корпус TSOP-48 48-pin TSOP-I (Type I)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Тип памяти — Non-volatile NAND Flash (SLC)
Page Size (x8) — 2112 bytes (2048 + 64 spare)
Page Size (x16) — 1056 words (1024 + 32 spare)
Plane Size — 2 planes x 1024 blocks per plane
ONFI Compliance — ONFI 1.0
Supply Voltage (Vcc) — 2.7 V to 3.6 V
Особенности — Hardware WP, hardware reset, copy-back, OTP, ECC spare area
Уровень MSL — 3

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену