MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs MT29F2G08ABAEAWP-IT:E 비교

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Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ 활성
Micron Technology
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - 2Gb SLC NAND Flash, 48-TSOP | Micron

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - 2Gb SLC NAND Flash, 48-TSOP | Micron

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.60 $2.65
메모리 크기 1 Gbit (128 MB) 2 Gbit (256 M x 8)
메모리 구성 128M x 8 2048 blocks x 64 pages x 2112 bytes (x8)
인터페이스 Parallel Asynchronous Parallel (x8 / x16 selectable)
공급 전압 3.3 V —
Access Time 25 ns —
Page Size 2048 bytes + 64 bytes spare —
Block Size 128 KB 64 pages (128 KB + 4 KB spare)
Program Time 200 us (typical) —
Erase Time 2 ms (typical) —
Endurance 100K program/erase cycles —
Data Retention 10 years —
동작 온도 -40C to +85C -40C to +85C (Industrial)
패키지 TSOP-48 48-pin TSOP-I (Type I)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
메모리 유형 — Non-volatile NAND Flash (SLC)
Page Size (x8) — 2112 bytes (2048 + 64 spare)
Page Size (x16) — 1056 words (1024 + 32 spare)
Plane Size — 2 planes x 1024 blocks per plane
ONFI Compliance — ONFI 1.0
Supply Voltage (Vcc) — 2.7 V to 3.6 V
특징 — Hardware WP, hardware reset, copy-back, OTP, ECC spare area
MSL 레벨 — 3

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