MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs MX30LF1GE8AB-TI-TR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT29F1G08ABAEAWP-IT:E от Micron Technology и MX30LF1GE8AB-TI-TR от Macronix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ Активен
Macronix
MX30LF1GE8AB-TI-TR MX30LF1GE8AB-TI-TR - 1Gbit 3V SLC NAND Flash, x8, TSOP-48 | Macronix

MX30LF1GE8AB-TI-TR - 1Gbit 3V SLC NAND Flash, x8, TSOP-48 | Macronix

MX30LF1GE8AB-TI-TR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MX30LF1GE8AB-TI-TR
Бренд Micron Technology Macronix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,60 $1,89
Размер памяти 1 Gbit (128 MB) —
Организация памяти 128M x 8 —
Интерфейс Parallel —
Напряжение питания 3.3 V —
Access Time 25 ns —
Page Size 2048 bytes + 64 bytes spare 2112 bytes (2048 data + 64 spare)
Block Size 128 KB 64 pages (128 KB + 4 KB spare)
Program Time 200 us (typical) —
Erase Time 2 ms (typical) —
Endurance 100K program/erase cycles —
Data Retention 10 years 10 years (typical)
Рабочая температура -40C to +85C -40 C to +85 C (industrial)
Корпус TSOP-48 48-pin TSOP-I (Type I)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Тип памяти — Non-Volatile NAND Flash (SLC)
Memory Organization — 128 M x 8
Density — 1 Gbit (1024 Mbit)
Тип интерфейса — Parallel Asynchronous (ONFI 1.0)
Cell Technology — Single-Level Cell (SLC)
Number of Blocks — 1024
Access Time (tR) — 20 ns / 25 ns (grade dependent)
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Active Read Current (ICC1) — 15 mA typical
Program / Erase Current (ICC2) — 15 mA typical
Program / Erase Endurance — 100 K cycles per block (typical)
ECC Architecture — ECC-Free (external host ECC required)
Compliance Standard — ONFI 1.0
Bad Block Mark — 00h on 1st and 2nd page (per datasheet v1.3)
Bad Block Indicator — Marked at 1st and 2nd page (00h) per datasheet v1.3
R/B# Power-On Delay — 100 us (per datasheet v1.3)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену