MT29F4G01ABBFD12-AUT:F vs MT25QU01GBBB8E12-0AUT Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT29F4G01ABBFD12-AUT:F от Micron Technology и MT25QU01GBBB8E12-0AUT от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT29F4G01ABBFD12-AUT:F - 4Gbit SLC SPI NAND Flash | Micron
MT29F4G01ABBFD12-AUT:F ✓ АктивенMicron Technology
MT25QU01GBBB8E12-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron
MT25QU01GBBB8E12-0AUT ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT29F4G01ABBFD12-AUT:F | MT25QU01GBBB8E12-0AUT |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | EEPROM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,58 | $7,10 |
| Тип памяти | FLASH - NAND (SLC) Memory IC | NOR Flash, Serial (SPI) |
| Интерфейс | SPI | SPI, Dual SPI, Quad SPI |
| Размер памяти | 4 Gbit (512 MB) | — |
| Cell Type | SLC (Single-Level Cell) | — |
| Корпус | TBGA (63-ball, per Micron serial NAND family) | 24-T-PBGA (6x8 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AUT grade, :F automotive suffix | AEC-Q100 qualified |
| Напряжение питания | [DATA_NEEDED: VCC range] | 1.8 V |
| Max Clock Frequency | [DATA_NEEDED: SPI clock frequency] | 133 MHz |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | — |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| On-Die ECC | Yes (ECD feature of serial NAND family) | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: temperature range] | -40C to +125C |
| Статус RoHS | Compliant (lead-free :F suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Density | — | 1 Gbit (128 MB) |
| Организация памяти | — | x1 / x2 / x4 (I/O width) |
| Access Time | — | 6 ns |
| FBGA Code | — | RW320 |
| Write Protection | — | Hardware write protection; Software write protection; Write enable latch |
| Product Longevity Program | — | No |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |