MT29F4G01ABBFD12-AUT:F vs MT25QU01GBBB8E12-0AUT 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT29F4G01ABBFD12-AUT:F 제조: Micron Technology 및 MT25QU01GBBB8E12-0AUT 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT29F4G01ABBFD12-AUT:F MT29F4G01ABBFD12-AUT:F - 4Gbit SLC SPI NAND Flash | Micron

MT29F4G01ABBFD12-AUT:F - 4Gbit SLC SPI NAND Flash | Micron

MT29F4G01ABBFD12-AUT:F ✓ 활성
Micron Technology
MT25QU01GBBB8E12-0AUT MT25QU01GBBB8E12-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QU01GBBB8E12-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QU01GBBB8E12-0AUT ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT29F4G01ABBFD12-AUT:F MT25QU01GBBB8E12-0AUT
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 EEPROM Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.58 $7.10
메모리 유형 FLASH - NAND (SLC) Memory IC NOR Flash, Serial (SPI)
인터페이스 SPI SPI, Dual SPI, Quad SPI
메모리 크기 4 Gbit (512 MB) —
Cell Type SLC (Single-Level Cell) —
패키지 TBGA (63-ball, per Micron serial NAND family) 24-T-PBGA (6x8 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AUT grade, :F automotive suffix AEC-Q100 qualified
공급 전압 [DATA_NEEDED: VCC range] 1.8 V
Max Clock Frequency [DATA_NEEDED: SPI clock frequency] 133 MHz
Page Size [DATA_NEEDED: page size] —
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
On-Die ECC Yes (ECD feature of serial NAND family) —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
동작 온도 [DATA_NEEDED: temperature range] -40C to +125C
RoHS 상태 Compliant (lead-free :F suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Density — 1 Gbit (128 MB)
메모리 구성 — x1 / x2 / x4 (I/O width)
Access Time — 6 ns
FBGA Code — RW320
Write Protection — Hardware write protection; Software write protection; Write enable latch
Product Longevity Program — No
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]

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