MT40A256M16GE-083E vs MT40A256M16GE-075E:B Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT40A256M16GE-083E от Micron Technology и MT40A256M16GE-075E:B от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ Снят с производстваMicron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT40A256M16GE-083E | MT40A256M16GE-075E:B |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Снято с производства | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,20 | $3,95 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | 1.33 GHz |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Корпус | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm | 96-FBGA (9 x 14 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| Country of Origin | China | — |
| Без галогенов | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Introduction Date | August 2017 | — |
| Lifecycle | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C |
| Размер памяти | — | 4 Gbit |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Скорость передачи данных | — | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Internal Banks | — | 16 |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Special Features | — | Temperature controlled refresh (TCR) |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] |