MT40A256M16GE-083E vs MT40A256M16GE-075E:B Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT40A256M16GE-083E von Micron Technology und MT40A256M16GE-075E:B von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ AbgekündigtMicron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT40A256M16GE-083E | MT40A256M16GE-075E:B |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Ende des Lebenszyklus | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,20 | $3,95 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | 1.33 GHz |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm | 96-FBGA (9 x 14 mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| Country of Origin | China | — |
| Halogenfrei | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Introduction Date | August 2017 | — |
| Lifecycle | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C |
| Speichergröße | — | 4 Gbit |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Datenrate | — | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Internal Banks | — | 16 |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Special Features | — | Temperature controlled refresh (TCR) |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] |