MT40A512M16JY-075E vs H5AN8G6NAFR Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT40A512M16JY-075E от Micron Technology и H5AN8G6NAFR от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | MT40A512M16JY-075E | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $30,50 | $0,12 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gbit | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Скорость передачи данных | 2666 MT/s | 2400 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Корпус | 96-FBGA (8x14) | 96-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Диапазон рабочих температур | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Особенности | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Рабочая температура | — | 0°C to +85°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |