MT40A512M16JY-075E vs H5AN8G6NAFR-RDC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT40A512M16JY-075E от Micron Technology и H5AN8G6NAFR-RDC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | MT40A512M16JY-075E | H5AN8G6NAFR-RDC |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $30,50 | $3,05 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gbit | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Скорость передачи данных | 2666 MT/s | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Интерфейс | Parallel | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Корпус | 96-FBGA (8x14) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Особенности | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Memory Density | — | 8 Gb |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER (per Partstack listing) |
| Technology | — | CMOS |
| Speed Grade | — | -RDC (see datasheet for bin timing) |
| Family | — | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC |
| Max Clock Rate | — | [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] |
| Рабочая температура | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |