MT41K256M16TW-107 vs H5TC4G63CFR-XXJ Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT41K256M16TW-107 от Micron Technology и H5TC4G63CFR-xxJ от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ Активен
SK hynix
H5TC4G63CFR-xxJ H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT41K256M16TW-107 H5TC4G63CFR-xxJ
Бренд Micron Technology SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $14,10 $5,90
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Размер памяти 4 Gbit —
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Интерфейс Parallel —
Clock Frequency 933 MHz (DDR3L-1866) —
Access Time 20 ns —
Напряжение питания 1.35 V —
Разрядность шины данных 16 bit —
Корпус 96-FBGA (8x14 mm) 96-ball FBGA
Тип монтажа Surface Mount —
Рабочая температура 0C to +95C (commercial :P grade) —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Density — 4 Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Clock Input — Fully differential (CK, CK#)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS#)
On-Chip DLL — Yes
DM Mask — Yes
Диапазон рабочих температур — 0°C to 95°C (case)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Без галогенов — Yes
Speed Grade — [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix]
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency options]
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
On-Die Termination — Yes
Refresh — Auto-refresh and self-refresh

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену