NT5CC256M16CN-FLNA vs K4B4G1646E-BYMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок NT5CC256M16CN-FLNA от Nanya Technology и K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | NT5CC256M16CN-FLNA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Бренд | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,00 | $14,32 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps (max) | 1866 Mbps/pin |
| Задержка CAS | 13 (at 1866 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Number of Banks | 8 | — |
| Корпус | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Диапазон рабочих температур | 0C to +95C (TC) commercial, -40C to +95C industrial, -40C to +105C automotive | — |
| Storage Temperature | -55C to +100C | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh, TCSR | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Напряжение питания | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Рабочая температура | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Количество выводов | — | 96 |