NT5CC256M16CN-FLNA vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16CN-FLNA par Nanya Technology et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16CN-FLNA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,00 | $14,32 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Débit de données | 1866 Mbps (max) | 1866 Mbps/pin |
| Latence CAS | 13 (at 1866 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Number of Banks | 8 | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Plage de température de fonctionnement | 0C to +95C (TC) commercial, -40C to +95C industrial, -40C to +105C automotive | — |
| Storage Temperature | -55C to +100C | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh, TCSR | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Nombre de broches | — | 96 |