TLP183(GB-TPL,E vs TLP183(GR) Сравнение

Подробное сравнение бок о бок TLP183(GB-TPL,E от Toshiba и TLP183(GR) от Toshiba. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Сравнение характеристик

Параметр TLP183(GB-TPL,E TLP183(GR)
Бренд Toshiba Toshiba
Категория Optocouplers Optocouplers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,09 $0,20
Product Type Phototransistor Output Optocoupler —
Number of Channels 1 1
Isolation Voltage (rms) 3750 Vrms —
Корпус 6-SOP (4-lead SO6), surface mount SO6 (4-pin surface mount)
CTR Rank GB (100% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V) —
Forward Current (IF) max 50 mA —
Reverse Voltage (VR) max 5 V —
Collector-Emitter Voltage (VCEO) max 80 V —
Emitter-Base Voltage (VEBO) max 7 V —
Collector Current (IC) max 50 mA —
Диапазон рабочих температур -55°C to +125°C —
Input LED Type GaAs infrared emitting diode —
Output Transistor Type Silicon NPN phototransistor —
Тип монтажа Surface Mount (SMT) Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TPL suffix) —
Статус RoHS RoHS compatible Compliant
Applications PLC, AC Adapter, I/O Interface, Office Machine —
Тип выхода — Phototransistor (DC input, transistor output)
Isolation Voltage — 3750 Vrms (minimum)
Current Transfer Ratio (CTR) — 50% minimum @ IF=0.5 mA, VCE=5 V (GR bin: 100-300% @ IF=5 mA)
Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) — 80 V minimum
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 6 V minimum
Collector Current — 50 mA maximum
Forward Current (IF) — 50 mA maximum
Forward Voltage (VF) — [DATA_NEEDED: typical VF @ IF=10 mA]
Switching Time (tR, tF) — 2 us typical
Рабочая температура — -55C to +125C
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
CTR Bin — GR

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену