H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G085WB-BCRC Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5AN8G6NDJR-XNC sa pamamagitan ng SK hynix at K4A8G085WB-BCRC sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | $55.68 | — |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Laki ng Memory | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| Rate ng Data | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | — |
| Packhaging | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | 78 |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisasyon | — | 1G x 8 |
| Volte ng Pagbibigay | — | 1.2 V |
| Temperature na Operasyon | — | 0°C to 85°C |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Access Time | — | 0.175 ns |
| Technology | — | CMOS |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |