H5TC4G63CFR-H9J vs H5TC4G63CFR-XXI Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5TC4G63CFR-H9J sa pamamagitan ng SK hynix at H5TC4G63CFR-xxI sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5TC4G63CFR-H9J | H5TC4G63CFR-xxI |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Organisasyon | 256M x 16 | 512M x 8 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V +0.100/-0.067V | — |
| Speed Grade | -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) | — |
| Packhaging | 96-ball TFBGA | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Wala sa Halogen | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Clock Input | Fully differential (CK, CK) | — |
| Data Strobe | Differential (DQS, DQS) | — |
| On-Chip DLL | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V +0.100 / -0.067V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V +0.100 / -0.067V |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS | — | Compliant |
| Rate ng Data | — | [DATA_NEEDED: speed grade] |
| Latensya ng CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh, TCSR |