H5TC4G63CFR-H9J vs H5TC4G63CFR-XXI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63CFR-H9J par SK hynix et H5TC4G63CFR-xxI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63CFR-H9J | H5TC4G63CFR-xxI |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,00 | $8,10 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 512M x 8 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V +0.100/-0.067V | — |
| Speed Grade | -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) | — |
| Boîtier | 96-ball TFBGA | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Clock Input | Fully differential (CK, CK) | — |
| Data Strobe | Differential (DQS, DQS) | — |
| On-Chip DLL | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V +0.100 / -0.067V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V +0.100 / -0.067V |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS | — | Compliant |
| Débit de données | — | [DATA_NEEDED: speed grade] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh, TCSR |