K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BFMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646D-BHMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646D-BFMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BFMA ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Rate ng Data | 1866 Mbps | 1866 Mbps |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.5V |
| Packhaging | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C (TC) | — |
| Latensya ng CAS | 13 (at 1866 Mbps) | Programmable |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 (with burst chop) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Wala sa Halogen | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |