MT41K256M16HA-107:E vs H5TQ4G63AFR-H9C Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng MT41K256M16HA-107:E sa pamamagitan ng Micron Technology at H5TQ4G63AFR-H9C sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ Nakahanda
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | MT41K256M16HA-107:E | H5TQ4G63AFR-H9C |
|---|---|---|
| Brand | Micron Technology | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $6.50 |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Laki ng Memory | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V | 1.5 V |
| Packhaging | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball TFBGA |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature na Operasyon | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Rate ng Data | 1866 MT/s | 3.9 Gbps per pin (approx) |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latensya ng CAS | 13 (typical) | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Speed (tCK) | — | 0.255 ns |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER |
| RoHS | — | Compliant |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |