2EDN7524GXTMA1 vs 1EDN7146GXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDN7524GXTMA1 tarafından Infineon ve 1EDN7146GXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2EDN7524GXTMA1 1EDN7146GXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Low-side gate driver IC —
Number of Channels 2 (dual) —
Drive Current (Source/Sink) 5 A peak —
Input Logic Non-inverting, TTL / 3.3 V CMOS-compatible —
Input Voltage Tolerance -10 V to +20 V on logic pins —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range] 4.5 V to 20 V
Propagation Delay 20 ns typical [DATA_NEEDED: exact figure] —
Channel-to-Channel Delay Matching 1 ns —
Artış Süresi 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition] —
Düşüş Süresi 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition] —
Output Stage Rail-to-rail, separate source/sink —
UVLO Protection Yes —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Paket PG-WSON-8-1 (3 mm x 3 mm) with exposed thermal pad PG-VSON-10-4
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Target Devices Standard MOSFETs, superjunction MOSFETs, GaN HEMTs —
Driver Type — High-side, single-channel
Number of Drivers — 1
Logic Type — Non-Inverting
Input Type — TDI (Truly Differential Inductor)
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Propagation Delay (typ) — 40 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes
Bootstrap Diode — Integrated

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin