BSC014NE2LSIATMA1 vs BSZ0994NSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC014NE2LSIATMA1 tarafından Infineon ve BSZ0994NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC014NE2LSIATMA1 BSZ0994NSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) Trench (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 33 A 13 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) [DATA_NEEDED: Tc condition rating] —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 74 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +150 °C —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) PG-TSDSON-8-25 (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 30V
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Power Dissipation (PD, Ta) — 2.1 W
Pin Sayısı — 8
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
On-Resistance (RDS(on), typ @10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) typ @VGS=10V]
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Packaging — Tape & Reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin