BSC018N04LSGATMA1 vs BSC0502NSIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC018N04LSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC0502NSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC018N04LSGATMA1 BSC0502NSIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (Trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 30 A —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 125 W —
Power Dissipation (PD) @ TA=25°C 2.5 W —
RDS(on) Max @ VGS=10 V 1.8 mΩ —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C (TJ) -55C to +150C
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant (Pb-free plating) Compliant
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
JEDEC Qualification Yes (qualified per JEDEC for target applications) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA — 26 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 2.3 mOhm
Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ — 9.0 nC
Output Charge QOSS Typ — 13.5 nC
Power Dissipation at TA (Ta=25C) — 2.5 W
Power Dissipation at TC (Tc=25C) — 43 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin