BSC030N03MSGATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC030N03MSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC034N06NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC030N03MSGATMA1 BSC034N06NSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3M —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25°C 69 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +150°C —
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) 4.5V / 10V —
Status Active —
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 74 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin