BSC033N08NS5SCATMA1 vs BSC027N06LS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC033N08NS5SCATMA1 tarafından Infineon ve BSC027N06LS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC033N08NS5SCATMA1 | BSC027N06LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS™ 5 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | 144 A | — |
| Power Dissipation (Tc) | 136 W | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 3.3 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/- 20 V | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | Logic-level |
| Thermal Resistance RthJC | 0.86 K/W | — |
| Paket | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | -55°C to +150°C |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| Part Status | — | Active |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] |
| On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V | — | 2.7 mOhm |
| On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 83 W |
| Paket / Kas | — | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total Qg] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 |