BSC0501NSIATMA1 vs BSC0911NDATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0501NSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC0911NDATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC0501NSIATMA1 | BSC0911NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 25V/30V | OptiMOS 25V |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | 30 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 50 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +150C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Technology | Trench-gate OptiMOS 5 | OptiMOS trench MOSFET |
| Configuration | — | Dual N-Channel (2 N-CH) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 18 A |
| Power Dissipation (PD) | — | 1 W |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55C to +150C (junction) |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |