BSC050N03LSGATMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC050N03LSGATMA1 tarafından Infineon ve IPD60R380C6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC050N03LSGATMA1 IPD60R380C6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC050N03LSGATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) CoolMOS C6 Superjunction
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 80 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 5 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Paket PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C —
Channel Type N-Channel —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55C to +150C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
FET Type — N-Channel
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin