BSC050NE2LSATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC050NE2LSATMA1 tarafından Infineon ve BSZ011NE2LS5IATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC050NE2LSATMA1 | BSZ011NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C | 58 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C | 39 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 5 mOhm | — |
| R_DS(on) typical at V_GS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 28 W | — |
| Technology | OptiMOS 25V (trench) | OptiMOS 5 (Trench) |
| Paket | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55°C to +150°C |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 35 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 40 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 69 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 4.5 V to 10 V |
| MSL Seviyesi | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |