BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC030N03LSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC052N08NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC030N03LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC052N08NS5ATMA1 BSC030N03LSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C -55C to +150C
Paket PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (unlimited) 1
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 100 A
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C — 23 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3 mOhm
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ — 2.2 V
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V — 55 nC
Output Charge (Qoss) — 66 pF
Input Capacitance (Ciss) Typ — 4.3 nF
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 69 W
Avalanche Rated — Yes (100% tested)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin