BSC070N10NS5ATMA1 vs BSC0502NSIATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC070N10NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC0502NSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC0502NSIATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET 2.3mOhm | Infineon
BSC0502NSIATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC070N10NS5ATMA1 | BSC0502NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench) | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 80 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Power Dissition at TC=25C (Ptot) | 83 W | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 2.5 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Typical Application | Synchronous rectification in SMPS | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 26 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.3 mOhm |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | — | 9.0 nC |
| Output Charge QOSS Typ | — | 13.5 nC |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | — | 43 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C |