BSC070N10NS5ATMA1 vs BSC0502NSIATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC070N10NS5ATMA1 توسط Infineon و BSC0502NSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC070N10NS5ATMA1 BSC0502NSIATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 5 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
محدوده دمای اتصال کاری -55 C to +150 C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA — 26 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 2.3 mOhm
Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ — 9.0 nC
Output Charge QOSS Typ — 13.5 nC
Power Dissipation at TA (Ta=25C) — 2.5 W
Power Dissipation at TC (Tc=25C) — 43 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
محدوده دمای کاری — -55C to +150C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت