BSC0901NSATMA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0901NSATMA1 tarafından Infineon ve BSC094N06LS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC0901NSATMA1 | BSC094N06LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 30V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS™ 5 (logic-level) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 28 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 80 mJ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 69 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | — |
| Paket | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) | 1 | — |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Configuration | Single N-Channel with Built-in Diode | — |
| Part Number | — | BSC094N06LS5ATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 47 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 9.4 mΩ |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 36 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +150 °C |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |