BSC0901NSATMA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC0901NSATMA1 מאת Infineon ו BSC094N06LS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC0901NSATMA1 BSC094N06LS5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 30V —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) OptiMOS™ 5 (logic-level)
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 28 A —
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 1.9 mOhm —
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Avalanche Energy (EAS) 80 mJ —
Power Dissipation (PD) at Tc 69 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C —
מארז TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 —
Built-in Body Diode Yes —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel with Built-in Diode —
Part Number — BSC094N06LS5ATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.4 mΩ
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 36 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 °C to +150 °C
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר