BSC0906NSATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0906NSATMA1 tarafından Infineon ve BSC052N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC0906NSATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 63 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 30 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS | OptiMOS 5 |
| RDS(on) max (typical reference) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction, typical) | — |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC052N08NS5ATMA1 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5-3.0 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +150C |
| MSL Seviyesi | — | 1 (unlimited) |