BSC0906NSATMA1 vs BSC0901NSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0906NSATMA1 tarafından Infineon ve BSC0901NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC0906NSATMA1 | BSC0901NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 63 A | 100 A |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 30 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) |
| RDS(on) max (typical reference) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction, typical) | -55C to +150C |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 30V |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 80 mJ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) | — | 1 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Configuration | — | Single N-Channel with Built-in Diode |