BSS214NH6327XTSA1 vs BSS138NH6327XTSA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS214NH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS138NH6327XTSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS214NH6327XTSA1 BSS138NH6327XTSA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1.5 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 250 mOhm at VGS = 4.5 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-Source Voltage (VGS max) ±12 V (recommended) —
Technology OptiMOS 2 (planar N-channel) —
Paket SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins PG-SOT-23 (3-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Lead Finish Pb-free lead plating (matte tin) —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
ESD Protection Yes (gate ESD diode) —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Continuous Drain Current (Ta) — 230 mA
Power Dissipation (Ta) — 360 mW
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
Klorürsüz — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]
Packaging — Tape and Reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin