BSS83PH6327XTSA1 vs BSS138NH6327XTSA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS83PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS138NH6327XTSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSS83PH6327XTSA1 | BSS138NH6327XTSA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 330 mA | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1.3 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 2.0 ohm (max) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -1 V to -2.5 V (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 360 mW | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +150 C | — |
| Paket | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT-23 (3-pin) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive grade per Infineon | — |
| Process Technology | SIPMOS / OptiMOS | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 60 V |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.5 ohm |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 230 mA |
| Power Dissipation (Ta) | — | 360 mW |
| Gate Threshold V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| Gate-Source Voltage V_GS max | — | ±20 V |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes (per IEC 61249-2-21) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| Marking Code | — | [DATA_NEEDED: top-side marking code] |
| Packaging | — | Tape and Reel |