BSS83PH6327XTSA1 vs BSS138NH6327XTSA2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS83PH6327XTSA1 מאת Infineon ו BSS138NH6327XTSA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSS83PH6327XTSA1 | BSS138NH6327XTSA2 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 330 mA | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1.3 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 2.0 ohm (max) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -1 V to -2.5 V (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 360 mW | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 C to +150 C | — |
| מארז | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT-23 (3-pin) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive grade per Infineon | — |
| Process Technology | SIPMOS / OptiMOS | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 60 V |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.5 ohm |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 230 mA |
| Power Dissipation (Ta) | — | 360 mW |
| Gate Threshold V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| Gate-Source Voltage V_GS max | — | ±20 V |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes (per IEC 61249-2-21) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| Marking Code | — | [DATA_NEEDED: top-side marking code] |
| Packaging | — | Tape and Reel |