BSZ024N04LS6ATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ024N04LS6ATMA1 tarafından Infineon ve BSZ036NE2LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSZ024N04LS6ATMA1 | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 6 (shielded-gate trench) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 130 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | 2.4 mΩ | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 2.3 V (typical) | — |
| Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V | 25 nC | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 1.8 nF | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 19 pF | — |
| Power Dissipation (P_D, Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 75 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55°C to +175°C | — |
| Paket | PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount, top-side drain pad | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (Unlimited) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 37 W |
| Configuration | — | Single |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |