BSZ024N04LS6ATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSZ024N04LS6ATMA1 제조: Infineon 및 BSZ036NE2LSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSZ024N04LS6ATMA1 | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.46 | $0.42 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 6 (shielded-gate trench) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 130 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | 2.4 mΩ | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 2.3 V (typical) | — |
| Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V | 25 nC | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 1.8 nF | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 19 pF | — |
| Power Dissipation (P_D, Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 75 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55°C to +175°C | — |
| 패키지 | PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount, top-side drain pad | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (Unlimited) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 37 W |
| Configuration | — | Single |
| 동작 온도 범위 | — | -55C to +150C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |