BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ018NE2LSIATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ036NE2LSATMA1 tarafından Infineon ve BSZ018NE2LSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSZ036NE2LSATMA1 | BSZ018NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | — |
| Paket | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55 C to +150 C |
| MSL Seviyesi | 1 (Unlimited) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Part Number | — | BSZ018NE2LSIATMA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 22 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.8 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 69 W |
| Technology | — | OptiMOS (Infineon trench MOSFET) |