EP3SE50F780C4LN vs EP3SE50F780C4LG Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma EP3SE50F780C4LN tarafından Intel ve EP3SE50F780C4LG tarafından IntelAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre EP3SE50F780C4LN EP3SE50F780C4LG
Marka Intel Intel
Kategori FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Son Alış Zamanı
Family Stratix III E Stratix III E (Enhanced)
Logic Elements 47,500 47,500 LE
LABs (Logic Array Blocks) 1,900 —
Embedded Memory 5,760,000 bits 5.49 Mbit
User I/Os 488 488 I/O
Paket 780-ball FC-FBGA 780-BBGA, FCBGA (FBGA-780, 1.0 mm pitch)
Process Node 65 nm —
Core Voltage 0.9 V —
Speed Grade C4 -4 (fastest commercial)
İşletim Sıcaklığı 0°C to 85°C (Commercial) —
Montaj Türü Surface Mount (BGA) Surface Mount (SMT)
Lead-Free / RoHS Yes (L suffix) —
Maximum Toggle Frequency 375 MHz —
Configuration Modes Passive Serial, Fast Passive, Active Serial (AS), Active Parallel (AP), JTAG —
DSP Blocks Yes (embedded multipliers) —
Block RAM Type M9K + M144K —
Memory Architecture SRAM-based, reprogrammable —
RoHS Durumu Compliant —
Adaptive Logic Modules (ALMs) — 19,000 ALM
Number of Logic Array Blocks (LABs) — [DATA_NEEDED: LAB count]
DSP Blocks (18x18 multipliers) — [DATA_NEEDED: DSP block count]
Transceivers — [DATA_NEEDED: transceiver count and rate]
Process Technology — 40 nm TSMC low-power CMOS
Operating Temperature (Commercial) — 0 C to +85 C
Core Voltage (VCCINT) — 0.9 V / 1.0 V / 1.1 V (programmable)
İşletim Besleme Gerilimi — 1.1 V (logic core nominal)
Lead-Free Status — Pb-free (LG suffix)
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) — MSL 3 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin