EP4CE75F29C7N vs EP4CE75F29I7 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma EP4CE75F29C7N tarafından Altera ve EP4CE75F29I7 tarafından IntelAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre EP4CE75F29C7N EP4CE75F29I7
Marka Altera Intel
Kategori FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Family Cyclone IV E —
Logic Elements (LE) 75,408 —
Embedded Memory (bits) 2,810,880 2,810,880
Memory Blocks M9K (9 Kbit blocks) —
Maximum User I/O 426 —
Embedded 18x18 Multipliers 200 —
General-purpose PLLs 4 —
Global Clock Networks 20 —
Process Technology 60 nm low-power —
Core Supply Voltage 1.2 V —
Paket 780-ball FineLine BGA (F29), 29x29 mm 780-ball FBGA (FineLine BGA)
Speed Grade C7 (commercial, 7th speed bin) —
Operating Temperature (Commercial) 0C to +85C —
Configuration Modes JTAG, AS, PS, FPP JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS)
LVDS Support Up to 3.125 Gbps (dedicated SERDES blocks) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Montaj Türü Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
MSL Seviyesi 3 (per JEDEC J-STD-020) 3 (168 hours)
Series — Cyclone IV E
Manufacturer — Intel (formerly Altera)
Logic Elements (LEs) — 75,408
Embedded Memory Blocks — 274 (M9K)
Embedded 18×18 Multipliers — 200
PLLs — 4
User I/O Count — 426
İşletim Sıcaklığı — -40 °C to +100 °C (Industrial)
Process Node — 60 nm low-power CMOS
Core Voltage (VCCINT) — 1.0 V / 1.2 V selectable
I/O Standards Supported — LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL
External Memory Interfaces — DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin